Hvordan bruger man et multimeter til at finde HFE for en transistor?

1, Forstå de grundlæggende begreber i HFE
For det første skal vi præcisere definitionen af ​​HFE. HFE refererer til forholdet mellem kollektorstrømmen IC og basisstrømmen IB for en transistor i et fælles emitterkredsløb, dvs. HFE=IC/IB. Denne parameter afspejler transistorens evne til at konvertere små ændringer i basisstrømmen til større ændringer i kollektorstrømmen.
2, Forberedende arbejde
Før du starter målingen, skal du sikre dig, at du har et fungerende multimeter og en transistor, der skal testes. I mellemtiden, da direkte måling af HFE kræver specifikke testkredsløb, skal du muligvis forberede nogle ekstra komponenter såsom modstande, strømforsyninger og tilslutningsledninger for at opbygge et simpelt testmiljø.
3, Byg testkredsløb
For at måle HFE skal vi konstruere et testkredsløb baseret på transistorens fælles emitterforbindelse. Dette kredsløb inkluderer typisk en jævnstrømsforsyning (bruges til at give forspænding til transistoren), en belastningsmodstand (forbundet mellem transistorens kollektor og strømforsyningen) og en modstand eller potentiometer til justering af basisstrømmen.
Tilslut strømforsyning og belastning: Forbind først den positive pol på DC-strømforsyningen til transistorens kollektor og den negative pol til jorden (eller den negative pol) af kredsløbet. Tilslut derefter en belastningsmodstand mellem transistorens kollektor og strømforsyningens negative terminal.
Indstil base bias: Forbind derefter basen til den positive pol på strømforsyningen gennem en modstand eller potentiometer for at give den nødvendige basisstrøm. Størrelsen af ​​denne modstand skal justeres i henhold til transistorens karakteristika for at sikre, at den fungerer i forstærkningsområdet.
Tilslut et multimeter: Tilslut den ene sonde på multimeteret til transistorens emitter og den anden sonde til jord (eller negativ) for at måle emitterstrømmen IE (selvom dette ikke er en direkte måling af HFE, er IE relateret til både IC og IB). Mere direkte kan du dog have brug for et andet multimeter til at overvåge basisstrømmen IB (som normalt er sværere at måle direkte, men indirekte kan estimeres ved at justere basisforspændingsmodstanden og observere ændringer i kollektorstrømmens IC).
4, Indirekte måling af HFE
På grund af vanskeligheden ved direkte at måle HFE, bruger vi normalt indirekte metoder til at estimere det.
Juster basisstrøm: Observer ændringen i kollektorstrøm IC ved at ændre værdien af ​​basisforspændingsmodstanden. Bemærk, at når IB stiger, bør IC også stige proportionalt, men denne andel (dvs. HFE) vil blive påvirket af de interne parametre for transistoren og kredsløbsforholdene.
Registrer data: Registrer de tilsvarende kollektorstrømværdier ved flere forskellige basisstrømme. Beregn derefter HFE-værdierne (IC/IB) på disse punkter. På grund af mulige fejl i faktiske målinger, anbefales det at tage gennemsnittet af flere punkter for at opnå en mere nøjagtig estimering af HFE.
I betragtning af temperaturens indflydelse: Det er værd at bemærke, at transistorens HFE vil variere med temperaturen. Derfor er det vigtigt at opretholde en stabil omgivelsestemperatur under måleprocessen og registrere temperaturoplysningerne efter målingen er afsluttet.
5, Brug specialiserede instrumenter
Selvom et multimeter indirekte kan estimere HFE af en transistor, er en mere nøjagtig og bekvem måde at bruge en dedikeret transistortester eller grafisk instrument. Disse instrumenter kan direkte måle og vise HFE og andre nøgleparametre for transistorer, hvilket giver stor bekvemmelighed for elektroniske ingeniører.
https://www.trrsemicon.com/transistor/isc-thyristors-bt169gw.html