MOSFET Karakteristik

Sammenlignet med bipolære transistorer har MOSFET følgende egenskaber.

(1) FET er en spændingskontrolenhed, som styrer ID (drænstrøm) gennem VGS (gate source voltage);

(2) FET's kontrolindgangsstrøm er meget lille, så dens inputmodstand (107 ~ 1012 Ω) er meget stor.

(3) Den bruger de fleste bærere til at lede elektricitet, så dens temperaturstabilitet er god;

(4) Spændingsforstærkningskoefficienten for forstærkningskredsløbet bestående af transistoren er mindre end for forstærkningskredsløbet bestående af trioden;

(5) Strålingsmodstanden for FET er stærk;

(6) Støjen er lav, fordi der ikke er nogen skudstøj forårsaget af den elektroniske spredning af kaotisk bevægelse.