Beskrivelse
Power MOSFET 10N60,10N60 DATABLAD:
Funktioner
Lav RDS (til)
Lav gate-opladning (typ. Qg=31.4 nC)
100 % UIS testet
RoHS-kompatibel
Ansøgninger
Effektfaktorkorrektion.
Switched mode strømforsyninger.
LED driver.
Absolut maksimale vurderinger
10N60 MOSFET: Højtydende krafttransistorer
10N60 MOSFET er en højtydende effekttransistor, der er fremstillet ved hjælp af avanceret planar VDMOS-teknologi. Dette resulterer i en enhed, der tilbyder lav ledningsmodstand, overlegen koblingsydelse og høj lavineenergi.
En af nøglefunktionerne ved denne MOSFET er dens lave RDS(on), som hjælper med at sikre effektiv strømoverførsel ved at minimere strømtab. Derudover har den lav gate-ladning (typisk Qg=31.4 nC), hvilket betyder, at den nemt kan styres ved hjælp af et lavspændingssignal.
For at sikre optimal ydeevne og pålidelighed er hver 10N60 MOSFET 100 % testet for UIS (Unclamped Inductive Switching) for at sikre, at den sikkert kan modstå højspændingstransienter og beskytte mod skader fra uventede spændingsspidser.
10N60 MOSFET er RoHS-kompatibel, hvilket betyder, at den er fri for farlige materialer og opfylder de miljøstandarder, der er fastsat af EU.
Samlet set er 10N60 MOSFET et fremragende valg til en bred vifte af højeffektapplikationer, såsom strømforsyninger, motorstyring, højfrekvente invertere og andre applikationer i industriel kvalitet. Med sin overlegne ydeevne og pålidelighed er denne MOSFET sikker på at hjælpe dig med at opnå optimale resultater i dine kraftelektronikprojekter.
FRQ:
Q: Hvor lang er din leveringstid?
A: Den generelle leveringstid er 1-3 uger efter modtagelse af din ordrebekræftelse. Hvis vi har varerne på lager, tager det kun 1-2 dage.
Q: Giver du prøve? Er det gratis?
Sv.: Hvis prøven har en lav værdi, leverer vi 20-30 stk, som du kan teste.
Populære tags: Power MOSFET 10N60, Kina, leverandører, producenter, fabrik, distributører, tilbud, inventar, Shenzhen, OEM, på lager
Send forespørgsel
Du kan også lide
