NPN -transistorer 2SC2412
NPN -transistorer 2SC2412 er kategorier baseret på lagdelingen af de semi -ledende materialer. NPN -transistorer indeholder negative, positive og negative lag, mens PNP -transistorer indeholder positive, negative og positive lag. Men formålet med transistoren (en elektrisk switch eller forstærker) er i det væsentlige det samme.
Beskrivelse
Professionelt teknisk team
Den øverste ledelse af vores virksomhed har to professorer fra Electric University of Zhejiang University, og vi har ansat flere luftfarts- og militærprojektniveau -strømforsyningsundersøgelser og udvikler specialister i 2011, og vi fandt TRR Micro Power Support Research Institute, vi er professionelt designet og ændrer strømforsyningsproduktordningen for kunder, sparer omkostninger og forbedrer energifirmailiteten eller erstatter manglen på IC.
Rig oplevelse
TRR -aktier har multipliceret områder kerneteknologier inden for wafer, pakke, apparaturtest og applikationsdesign osv., Vi bruger til forskning, fremstilling, salg og applikationsordning i nye typekomponenter, allerede opnået mere end 80 nationale autoriserede opfindelsespatenter, inkluderer den generelle MB10F -bro i strømforsyningsindustrien, LED -industrien brugte UMB10F / B7 Bridge, Globe Højest Bridge IBS og serie High Junction -temperaturprodukter.
Bredt produktsortiment
Vores firma fokuserer på, at det giver branchen, der ofte anvendes og tilpassede produkter og service i henhold til kravene til brugerne, produkterne, der er vidt anvendt i mange områder, såsom strømforsyning og adaptere (kunde: sungrow strømforsyning), grøn belysning (kunder: MLS, Tospo belysning), router (kunde: Huawei), smart telefon (kunder: huawei, xiaomi, modstander) og kommunikationsprodukter, automobile elektricrics (kunde: kunde Frekvenstransformator, store og små husholdningselektriske apparater (kunde: Gree), sikkerhedsvagtområde (Hikvision, Dahua) og andre områder.
NPN -transistorer 2SC2412 er kategorier baseret på lagdelingen af de semi -ledende materialer. NPN -transistorer indeholder negative, positive og negative lag, mens PNP -transistorer indeholder positive, negative og positive lag. Men formålet med transistoren (en elektrisk switch eller forstærker) er i det væsentlige det samme.
Transistoren 2SA733 er et højtydende, stabilt og lavt mætningsspændings halvlederindretning lavet af epitaksial NNP-jet-siliciummateriale, der har en bred vifte af applikationer. Dette produkt er blevet vidt brugt på forskellige felter, såsom automatiske kontrolsystemer, forstærkerkredsløb, switch -kredsløb, strømstyring og kommunikationselektronik.
Overflademonteret silicium ensretter 2A1
Surface Mont Silicon Rectifier 2A1, som en elektronisk komponent, har fordelene ved lille størrelse, let vægt, rumbesparelse, god elektrisk ydeevne, høj effekt, høj stabilitet og lang levetid og kan bruges i vid udstrækning på forskellige felter.
TO-126 plastikindkapslet transistorer 13003
TO-126 Plastik indkapslet transistorer 13003 er en NPN-transistor, der ofte bruges i elektroniske kredsløb. Det kan bruges i forskellige kredsløb og har høj effektforstærkning og skifteeffekter. Velegnet til forskellige husholdningsapparater, elektroniske instrumenter, elektroniske produkter, Automotive Electronics, Computer Peripherals osv.
Fordele ved NPN -transistorer 2SC2412
En NPN -transistorer 2SC2412 er en type bipolar forbindelsestransistor (BJT). Det består af et lag af P-type halvledermateriale, der er klemt mellem to lag af N-type halvledermateriale. De to N-type lag fungerer som emitteren og opsamleren, og P-typelaget fungerer som basen. Transistoren kaldes NPN, fordi størstedelen af transportører i emitter- og samlerregionerne er elektroner, som er negativt ladet.
Fordelene ved NPN -transistorer 2SC2412 er vist nedenfor:
· Høj gevinst og høj inputimpedans
· Lav støj
· Hurtig skifthastighed
· Lave omkostninger
· Nem tilgængelighed
En NPN -transistorer 2SC2412 -konfiguration
Konstruktions- og terminalspændingerne for en NPN -transistorer 2SC2412 er vist ovenfor. Spændingen mellem basen og emitteren (VBE) er positiv ved basen og negativ ved emitteren, fordi basisterminalen for en NPN -transistor er altid positiv med hensyn til emitteren. Samlerforsyningsspændingen skal også være mere positiv med hensyn til emitteren (VCE).
Derfor skal samleren altid mere positiv med hensyn til både basen og emitterterminalerne for at udføre korrekt, og skal altid være mere positiv med hensyn til både basen og emitterterminalerne.
Derefter er spændingskilderne forbundet til en NPN -transistor som vist. Samleren er forbundet til forsyningsspændingen VCC via belastningsmodstanden, RL, der også virker for at begrænse den maksimale strøm, der strømmer gennem enheden.
Basisforsyningsspændingen VB er forbundet til basisstanden RB, som igen bruges til at begrænse den maksimale basestrøm.
Så i en NPN -transistorer 2SC2412 er det bevægelsen af negative strømbærere (elektroner) gennem basisregionen, der udgør transistorhandling, da disse mobile elektroner giver forbindelsen mellem samleren og emitterkredsløbet. Denne forbindelse mellem input- og outputkredsløbene er det vigtigste træk ved transistorhandling, fordi transistorer, der amplificerer egenskaber, kommer fra den deraf følgende kontrol, som basen udøver på samleren til at udsende strøm.
Derefter kan vi se, at transistoren er en strømdrevet enhed (beta-model), og at en stor strøm (IC) strømmer frit gennem enheden mellem samleren og emitterterminalerne, når transistoren er tændt "fuldt ud". Dette sker dog kun, når en lille forspændingsstrøm (IB) flyder ind i basisterminalen på transistoren på samme tid og således giver basen mulighed for at fungere som en slags strømindgang.
Strømmen i en bipolar NPN -transistor er forholdet mellem disse to strømme (IC/IB), kaldet DC -strømforstærkning af enheden og får symbolet på HFE eller i dag beta, ().
Værdien af kan være stor op til 200 for standardtransistorer, og det er dette store forhold mellem IC og IB, der gør den bipolære NPN -transistor til en nyttig forstærkningsanordning, når det bruges i sin aktive region, da IB leverer input og IC giver output. Bemærk, at beta ikke har nogen enheder, da det er et forhold.
Den aktuelle forstærkning af transistoren fra samlerterminalen til emitterterminalen, IC/IE, kaldes også alfa, () og er en funktion af selve transistoren (elektroner, der diffunderer over krydset).
Da emitterstrømmen IE er summen af en meget lille basestrøm plus en meget stor samlerstrøm, er værdien af alfa () meget tæt på enhed, og for en typisk lav effekt signaltransistor varierer denne værdi fra ca. 0,950 til 0,999.
Arbejdsprincip for NPN -transistorer 2SC2412
Arbejdsprincippet for en NPN -transistorer 2SC2412 er baseret på kontrol af strømstrømmen mellem emitter- og samlerregionerne ved at variere basestrømmen. NPN -transistoren har tre terminaler: emitteren (E), basen (B) og samleren (C). Emitteren er lavet af N-type materiale, basen er lavet af P-type materiale, og opsamleren er lavet af N-type materiale.
Når der påføres en lille positiv spænding på basisemitterkrydset, bliver krydset fremad-partisk, hvilket giver elektroner mulighed for at strømme fra emitteren til basen. Da basisregionen er tynd og let dopet, rekombineres kun en lille brøkdel af disse elektroner med huller i basen. Størstedelen af elektronerne flyder fortsat gennem basen og når samleren, som er omvendt partisk.
Det omvendte partiske basis-samlerkryds skaber et elektrisk felt, der afviser elektronerne væk fra basen og tiltrækker dem mod samleren. Som et resultat strømmer en stor strøm fra samleren til emitteren, som styres af den mindre basestrøm. Forholdet mellem samlerstrømmen og basestrømmen er kendt som den aktuelle forstærkning () for transistoren.
Transistorer med NPN -dioder (NPN) bruges i en sort:
· Højfrekvente applikationer bruger disse.
· Skift af applikationer er, hvor NPN -transistorer oftest bruges.
· Denne komponent bruges til forstærkningskredsløb.
· For at forstærke svage signaler bruges det i Darlington -parkredsløb.
· NPN -transistorer bruges i applikationer, hvor der kræves en strømvask.
· Nogle klassiske forstærkerkredsløb, såsom 'push-pull' forstærkerkredsløb, bruger denne komponent.
· For eksempel i temperatursensorer.
· Anvendelser med ekstremt høj frekvens.
· I logaritmiske konvertere bruges denne variabel.
· Fordi signalforstærkning udføres med NPN -transistorer. Ved forstærkningskredsløb bruges det på denne måde.
· Logaritmiske konvertere er et andet område, hvor det bruges.
· Skiftegenskaben for NPN -transistoren er en af dens mest betydningsfulde fordele. Som et resultat bruges det ofte til at skifte applikationer.
Konstruktion af NPN -transistorer 2SC2412
NPN -transistoren er konstrueret med to dioder, der er forbundet på en sådan måde, at deres ryg er forbundet med hinanden. Disse dioder er forbundet på en sådan måde, at de tre terminaler dannes kendt som Collector Base og Emitter. To kryds er dannet i IT-One er emitter-base, og den anden er Collector Base.
NPN-transistoren oprettes, når 3 lag kombineres, nemlig to N-type halvledere, og en P-type halvleder i midten. To dioder er forbundet sammen, hvilket resulterer i fire dopede regioner, da hver af dioderne har 2 dopede regioner. Basen, der er oprettet, vil ikke have ensartet doping.
Derfor er en NPN -transistor altid bygget i tre lag, hvoraf basen er let dopet, emitteren er stærkt dopet, og samleren er moderat dopet. Basen af P-typen halvleder er sat op i midten, mellem emitteren og samleren af N-typen halvleder.
Transistoren fungerer på forskellige tilstande eller regioner afhænger af forspændingen af kryds. Det har tre driftsformer.
Cut-off-tilstand
I cur-off-tilstand er begge kryds i omvendt bias. I denne tilstand opfører transistoren sig som et åbent kredsløb. Og det tillader ikke strømmen at strømme gennem enheden.
Mætningstilstand
I mætningstilstanden for en transistor er begge kryds forbundet i fremadrettet forspænding. Transistoren opfører sig som et tæt kredsløb og strømstrøm fra samler til emitter, når basisemitterspændingen er høj.
Aktiv tilstand
I denne tilstand af en transistor er basisemitterkrydset fremadrettet bias, og samlerbase-krydset er omvendt partisk. I denne tilstand fungerer transistoren som en nuværende forstærker.
Strømmen strømmer mellem emitter og samler og mængden af strøm er proportional med basestrømmen.
NPN -transistorer 2SC2412: Hvordan ved du, om en transistor er NPN eller PNP?
Pilorientering på skematisk symbol
De skematiske symboler for NPN- og PNP -transistorer er ens, men orienteringen af pilen på emitteren indikerer transistortypen. I et NPN -transistorsymbol peger pilen udad fra basen, mens pilen i et PNP -transistorsymbol peger pilen indad mod basen.
Polaritetstest
Ved hjælp af en multimeter i diodetesttilstand kan du bestemme polariteten i transistorforbindelserne. For en NPN-transistor viser basisemitterkrydset en fremadrettet bias (lav modstand), når den positive sonde er forbundet til basen og den negative sonde til emitteren. Base-samlerkrydset viser en omvendt bias (høj modstand). I modsætning hertil, for en PNP-transistor, viser basisemitterkrydset en fremadrettet bias, når den negative sonde er forbundet til basen og den positive sonde til emitteren, mens basis-collector-krydset viser en omvendt bias.
Samlerbaseret opdelingsspænding
NPN-transistorer 2SC2412 har typisk en højere opsamling af opsamler-base-nedbrydning sammenlignet med deres emitter-base-nedbrydningsspænding, mens PNP-transistorer har en højere emitter-base-nedbrydningsspænding sammenlignet med deres opsamlingsspænding. Måling af disse nedbrydningsspændinger kan hjælpe med at identificere transistortypen.
Vores fabrik
TRR Electronics Co., Ltd er en statskapital, der kontrollerer interessevirksomhed, der foretager forskning, udvikler, fremstiller og sælger halvleder diskrete komponenter og produkter som hoveddriftsvirksomhed. Vi er datterselskab af A-Shares citeret selskab 600059 og findes i 2000, til ekspanderisk markedsvirksomhed, etableret datterselskab Guangdong TRR Electronics Co., Ltd.
TRR -aktier har multipliceret områder kerneteknologier inden for wafer, pakke, apparaturtest og applikationsdesign osv., Vi bruger til forskning, fremstilling, salg og applikationsordning i nye typekomponenter, allerede opnået mere end 80 nationale autoriserede opfindelsespatenter, inkluderer den generelle MB10F -bro i strømforsyningsindustrien, LED -industrien brugte UMB10F / B7 Bridge, Globe Højest Bridge IBS og serie High Junction -temperaturprodukter.
Vores certifikat
Ultimate FAQ Guide til NPN -transistorer 2SC2412
Populære tags: NPN -transistorer 2SC2412, Kina, leverandører, producenter, fabrik, distributører, citat, lager, Shenzhen, OEM, på lager
Send forespørgsel
Du kan også lide
