NPN TRANSISTOR PBSS8110T

NPN TRANSISTOR PBSS8110T

SMD transistor

Beskrivelse

NPN TRANSISTOR PBSS8110T, PBSS8110T DATABLAD:

 

FUNKTIONER
Komplementær type FMMT593

 

MAKSIMUM BETYDNINGER (Ta=25 grad, medmindre andet er angivet)
Symbol Parameter Værdi Enhed
VCBO Collector-Base Voltage 120 V
VCEO Collector-Emitter Spænding 100 V
VEBO Emitter-Base Spænding 5 V
IC-samlerstrøm 1000 mA
PC Collector Power Dissipation 250 mW
RΘJA Termisk modstand fra kryds til omgivende 500 grader /W
Tj Junction Temperatur 150 grader
Tstg-lagringstemperatur -55-+150 grad

 


ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA (Ta=25 grad, medmindre andet er angivet)
Parameter Symbol Testbetingelser Min Typ Maks. Enhed
Kollektor-base gennembrudsspænding V(BR)CBO IC=100μA, IE=0 120 V
Kollektor-emitter gennembrudsspænding V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 100 V

 

PBSS8110T

 

 

NPN TRANSISTOR PBSS8110T


PBSS8110T er en NPN-transistor, der er designet til brug i forskellige elektroniske kredsløb. Det er en komplementær type til FMMT593 transistoren og har en række funktioner, der gør den ideel til brug i en række applikationer.


En af nøglefunktionerne ved PBSS8110T er dens høje kollektor-basespænding på 120V. Det betyder, at den kan modstå højspændingsapplikationer uden at lide af nedbrud eller fejl. Derudover har transistoren en høj kollektor-emitterspænding på 100V, hvilket yderligere øger dens alsidighed i elektroniske applikationer.


Emitter-basespændingen på PBSS8110T er 5V, hvilket er relativt lavt sammenlignet med andre transistorer. Dette gør den ideel til brug i applikationer, hvor lavspændingsdrift er påkrævet, eller hvor indgangssignalet er for lavt til at aktivere andre typer transistorer.
PBSS8110T er i stand til at håndtere en kollektorstrøm på op til 1000mA, hvilket gør den velegnet til brug i en række applikationer med høj strøm. Derudover sikrer dens maksimale effekttab på 250mW, at den er i stand til at fungere effektivt selv under høje belastningsforhold.


Som en NPN-transistor bruges PBSS8110T i en lang række elektroniske kredsløb. Nogle af de mest almindelige applikationer omfatter effektforstærkerkredsløb, omskifterkredsløb og spændingsregulatorkredsløb. Det kan også bruges i lyd- og videoforstærkerkredsløb, oscillatorer og andre elektroniske enheder.


PBSS8110T NPN transistor er en alsidig og pålidelig komponent, der kan bruges i en lang række elektroniske applikationer. Takket være dens høje spændings- og strømværdier er den velegnet til brug i en række højeffektapplikationer. Uanset om du designer et nyt elektronisk kredsløb eller blot skal udskifte en defekt transistor, er PBSS8110T et glimrende valg.

 

 

Populære tags: npn transistor pbss8110t, Kina, leverandører, producenter, fabrik, distributører, tilbud, inventar, Shenzhen, OEM, på lager

Du kan også lide

Indkøbstasker